- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 97 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
