FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
25P06 Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<45M@-10V...
1 4,450 加入询价
G20P10KE Goford Semiconductor
P-CH, -100V, 20A, RD(M...
1 3,579 加入询价
18N20 Goford Semiconductor
N 200V, RD(MAX)<0.16@10...
1 2,285 加入询价
PJD18N20_L2_00001 PANJIT
200V N-CHANNEL ENH...
1 2,035 加入询价
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