- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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28 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 11,020 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 9.7... |
1 | 11,067 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,859 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,740 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 15,673 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6.5... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 1,989 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,486 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 125 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
