- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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80 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 7A... |
1 | 17,252 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 9.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
