- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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80 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 250 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 125 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 695 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 969 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3.8... |
1 | 435 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5... |
1 | 331 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 5.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
