- 品牌：
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- ON Semiconductor (22)
- STMicroelectronics (32)
- Littelfuse (16)
- PANJIT (3)
- ROHM Semiconductor (14)
- Transphorm (1)
- UnitedSiC (5)
- Vishay / Siliconix (13)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 94 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V/ 390MOHM / 10A/ EA... |
1 | 796 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 33 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 37A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 48A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
