- 品牌：
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- ON Semiconductor (27)
- STMicroelectronics (49)
- Littelfuse (19)
- PANJIT (8)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (5)
- Vishay / Siliconix (13)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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244 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 234 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 37A... |
1 | 486 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 707 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 182 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 863 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 928 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 1,998 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 128 ... |
1 | 496 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 547 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 279 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 114 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 712 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 300 | 加入询价 |
