- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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25 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 980 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V PW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | PTD HIGH VOLTAGE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH DPAK |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V DP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
