- 品牌：
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- ON Semiconductor (17)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 1,224 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6... |
1 | 11,996 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9... |
1 | 2,789 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 3.7... |
1 | 13,708 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8... |
1 | 3,405 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<280M@10V... |
1 | 2,460 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
