- 品牌：
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- ON Semiconductor (117)
- STMicroelectronics (59)
- Littelfuse (7)
- Taiwan Semiconductor (27)
- Vishay / Siliconix (71)
- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 406 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 500V 200... |
1 | 35 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A... |
1 | 946 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 854 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 814 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 6.5... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 125 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-23A,RD(MAX)<70M... |
1 | 650 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 36 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
