- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (106)
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (5)
- STMicroelectronics (71)
- ROHM Semiconductor (98)
- UnitedSiC (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
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- 已选条件：
344 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 40V 15A... |
1 | 7,242 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 60V 20A... |
1 | 19,962 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 60V 36A... |
1 | 4,841 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 40V 36A... |
1 | 1,600 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V 75A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 60V 36A... |
1 | 2,575 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 60V 50A... |
1 | 194 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1700V 3.... |
1 | 342 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 24... |
1 | 168 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 24... |
1 | 111 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 39A... |
1 | 131 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 437 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 150A... |
1 | 8,715 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 55A... |
1 | 7,877 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 38A... |
1 | 2,878 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 23... |
1 | 1,959 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 38A... |
1 | 1,221 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 650V/30MOHM, SIC, ST... |
1 | 2,768 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 60V 23A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 40V 20A... |
1 | 12,269 | 加入询价 |
