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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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1,163 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PANJIT | 100V P-CHANNEL ENH... |
1 | 1,957 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<11M@10V... |
1 | 14,871 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<130M@10V... |
1 | 2,925 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH,100V, 2... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, RD(MAX)<10.5M@1... |
1 | 3,975 | 加入询价 | |
|
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 2,974 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 2,890 | 加入询价 | |
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UMW | TO-252 MOSFETS ROH... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,-4A,RD(MAX)<200... |
1 | 1,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<7.5M@10V... |
1 | 15,596 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 75A,RD<8M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,ESD,-12A,RD(MA... |
1 | 2,305 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<53M@10V... |
1 | 2,390 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V N-CHANNEL ENH... |
1 | 2,939 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.8... |
1 | 4,663 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 5.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V N-CHANNEL ENH... |
1 | 1,768 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V N-CHANNEL ENH... |
1 | 4,990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.8... |
1 | 4,890 | 加入询价 |
