- 品牌：
-
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
1,163 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 23.... |
1 | 1,768 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 11.... |
1 | 4,207 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,875 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A... |
1 | 1,755 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | N-CHANNEL SHIELD... |
1 | 1,449 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 13A... |
1 | 678 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | PTNG 100V LOW Q3.2MO... |
1 | 837 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 78A... |
1 | 2,822 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 16A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 3A,RD<140M@10V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N100V, 7A,RD<140M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V, 3.5A,RD<200M@-10... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)130mOHM... |
1 | 4,847 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P100V,RD(MAX)<200M@-10... |
1 | 4,625 | 加入询价 | |
|
|
UMW | SOP-8 MOSFETS ROH... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 10,694 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-CH, -100V, 20A, RD(M... |
1 | 3,579 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,130 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N100V, 21A,RD<9.5M@10V,... |
1 | 4,000 | 加入询价 |
