- 品牌：
-
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- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
616 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6-40V N 1.7 MOHMS SL |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | T6-40V N 1.3 MOHMS SL |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V PW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V DIREC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | T6-40V N 0.92 MOHMS S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | DESC: MOSFET N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 |
