- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 速度：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
-
- 工作温度 - 结：
-
- 已选条件：
756 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40... |
1 | 4,779 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40... |
1 | 4,688 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTT 40V 7... |
1 | 9,864 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 890 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,846 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIC 1.2KV 19.1... |
1 | 603 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,559 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIC 1.2KV 22.8... |
1 | 960 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,878 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,480 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 847 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,408 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 1,996 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 980 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,276 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 650V 28A TO... |
1 | 498 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 161 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 470 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 650V 60A TO... |
1 | 455 | 加入询价 |
