- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
-
- 速度：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
-
- 工作温度 - 结：
-
- 已选条件：
756 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,389 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 490 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 400 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 460 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 419 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 176 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 460 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 266 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARBID... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 100... |
1 | 1,958 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 70... |
1 | 11,660 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45... |
1 | 9,800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 200... |
1 | 1,626 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30... |
1 | 2,387 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40... |
1 | 9,644 | 加入询价 |
