- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 速度：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
-
- 工作温度 - 结：
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- 已选条件：
756 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30... |
1 | 244,526 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 70... |
1 | 9,474 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARBID... |
1 | 3,712 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,425 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 10,640 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 14,609 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 373 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 650V 80A TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,382 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 600V 150A T... |
1 | 778 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 295 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTT 30V 2... |
1 | 17,979 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 4,477 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 1.2KV 50A T... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 15,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,171 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,815 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,965 | 加入询价 |
