- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 速度：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
-
- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
-
- 工作温度 - 结：
-
- 已选条件：
756 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE GP 200V 250MA ... |
1 | 491,136 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45... |
1 | 659,122 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 10... |
1 | 64,347 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 10... |
1 | 50,508 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30... |
1 | 26,473 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 7,471 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 4,624 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 6,330 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,056 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 3,980 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 3,662 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,838 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V... |
1 | 45,909 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 100... |
1 | 64,341 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V... |
1 | 50,934 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE GP 80V 250MA S... |
1 | 33,020 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30... |
1 | 76,638 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTT 30V 2... |
1 | 114,202 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30... |
1 | 142,058 | 加入询价 |
