- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
-
- 已选条件：
793 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARBID... |
1 | 6,003 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 1,107 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 488 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC 3.3KV 300M... |
1 | 3,428 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 824 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 110 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 6,260 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 340 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 2,594 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 621 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 266 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 1,450 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 768 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 3,261 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 725 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 793 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP RE... |
1 | 893 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP RE... |
1 | 604 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100... |
1 | 796 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100... |
1 | 766 | 加入询价 |
